Ya es posible integrar dispositivos de nitruro de galio directamente en un chip de silicio

La integración directa en chips de silicio de componentes o dispositivos basados en tipos diferentes de semiconductores es de gran importancia porque puede permitir diferentes funcionalidades, que hasta ahora no resultaban viables a efectos prácticos.

El nuevo proceso, ideado por el equipo de Jay Narayan de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, permite el desarrollo de dispositivos de altas potencias, altos voltajes y altas corrientes. Estos dispositivos son fundamentales, entre otras cosas, para el desarrollo de nuevos aparatos e infraestructuras dedicados a labores de distribución de energía.

Los dispositivos de nitruro de galio pueden manejar más potencia que los transistores convencionales, y son capaces de hacerlo con mayor rapidez, porque cada dispositivo puede ser fabricado en un solo cristal, que se integra en un chip de silicio, de modo que los electrones pueden moverse más rápidamente.

Esta integración directa del nitruro de galio en la plataforma de silicio ha permitido la creación de sensores inteligentes multifunción, transistores con alta movilidad de los electrones, dispositivos de alta potencia, e interruptores de altos voltajes para redes inteligentes de suministro eléctrico, todo lo cual revolucionará en un futuro no muy lejano el sector energético y traerá importantes beneficios medioambientales.

Al integrar el nitruro de galio en los chips de silicio también se obtiene una gama más amplia de radiofrecuencias disponibles, lo que posibilitará el desarrollo de tecnologías avanzadas de comunicación.

Fuente: solociencia

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